Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE, z ang. molecular beam epitaxy) – jedna z technik epitaksji polegająca na osadzaniu cienkich warstw półprzewodnikowych z wiązek molekularnych (lub atomowych) w ultrawysokiej próżni (p ≤ 10−7 Pa). Metoda została opracowana pod koniec lat 60. XX wieku w Bell Telephone Laboratories przez J.R. Arthura i Alfreda Y. Cho. Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich warstw półprzewodników, metali, izolatorów i nadprzewodników.
Literatura H. Ibach, H. Lüth Fizyka Ciała Stałego. Wydawnictwo Naukowe PWN, Warszawa 1996,
Linki zewnętrzne
Kategoria:Inżynieria powierzchni Kategoria:Półprzewodniki