Kalendarium historii energoelektroniki półprzewodnikowej: 1957 – tyrystor SCR (General Electric) 1970 – tranzystor mocy 500V 20A (Delco Electronics) 1975 – Toshiba giant transistor (300V, 400A) 1978 – power MOSFET 100V 25A (International Rectifier) 1980 – tyrystor GTO 2500V 1000A (Hitachi, Mitsubishi, Toshiba) - pierwszy tyrystor GTO 200V, 50A opracowano w 1970 roku w firmie General Electric USA 1985 – IGBT (General Electric, Siemens, Power Compact) 1988 – smart power device (Thomson, firmy japońskie)
Obecnie rozwój przekształtników energoelektronicznych przemieszcza się w kierunku stosowania tranzystorów wykonanych z węgliku krzemu, które mogą pracować w temperaturach rzędu kilkuset stopni Celsjusza, podczas gdy tranzystory krzemowe jedynie w około 100 °C. Pozwoli to na uzyskanie jeszcze większych gęstości przenoszonych energii.