miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 32 nm : Intel core i7 TecnologiaAny10 um19716 um 19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 32 nanòmetres (32 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 32 nm. És una millora de la tecnologia de 45 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 59 àtoms de llargada.
Història Els primers prototipus de tecnologia de 32 nm va ser a mitjans de la dècada del 2000. Intel va presentar els primers assajos el 2007. Intel i AMD van comercialitzar els primers processadors el 2010. Samsung va presentar memòries DRAM el 2011. El 2012 apareix la tecnologia de 45 nm.
Tecnologia emprada Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant)
Processadors FabricantDataCPUNotesIntel2010Core i3 i i5Intel2010Sandy BridgeTecnologia dielèctric high-kIntel 2010i7-970 i7-9806 coresAMD2010FXTecnologia SOI
FabricantCommon Platform IntelTSMCSamsungToshiba / NECCommon Platform 2Nom del procésP1268Primera producció200920092009200920092010TipusPDSOIBulkOblia300mmValue45 nm ΔValue45 nm ΔValue40 nm ΔValue40 nm ΔValue40 nm ΔValue45 nm ΔPas de contacte de porta130 nm0.68x112.5 nm0.63x130 nm0.80x113.4 nm0.88x120 nm0.71x126 nm0.66xPas de connexió ? nm ?x112.5 nm0.70x ? nm ?x113.4 nm0.97x ? nm ?x ?nm ?xCel·lula 1 bit de RAM (HD)0.15 µm²0.41x0.148 µm²0.43x0.15 µm²0.62x0.120 µm² ?x0.124 µm²0.64x0.157 µm²0.42xCel·lula 1 bit de RAM (LP)0.199 µm²Cel·lula 1 bit de DRAM0.171 µm²0.45x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia SOI Tecnologia Dielèctric high-k Tecnologia litogràfica
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats