miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 90 nm : Intel Celeron D TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 90 nanòmetres (90 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 90 nm. És una millora de la tecnologia de 65 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 165 àtoms de llargada.
Tecnologia emprada Tecnologia de tensió de porta de 1,8V. Tecnologia de litografia millorada.
Processadors FabricantDataCPUNotesIBM2004PowerPC G5, CellIntel2004Pentium 4, D, M, XeonAMD2004Athlon 64, Sempron, Turion, OPteron FabricantIntelTSMCSamsungFujitsuIBM / Toshiba / Sony / AMD / CharteredMotorolaTINom del procésP1262CS-100 / CS-101HiPerMOS 8Primera producció2002200320032004200320042005TipusBulkPDSOIBulkOblia300mmCapes de Metal7109 Valor130 nm ΔValor130 nm ΔValor130 nm ΔValor130 nm ΔValor130 nm ΔValor130 nm ΔValor130 nm ΔPas de contacte de porta260 nm0.82x240 nm0,77x245 nm0,70x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xPas de connexió220 nm0.63x240 nm0,71x245 nm0,70x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xCel·lula 1 bit de RAM1,0 µm²0.50x0,999 µm²0,47x0,999 µm² ?x1,07 µm²0,54x0,999 µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?xCel·lula 1 bit de DRAM0,275 µm²0,19 µm² ?x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia litogràfica
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats