miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 7 nm : No disponible encara TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm20193 nm~20212 nm~20251 nm~2027 7 nanòmetres (7 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 7 nm. És una millora de la tecnologia de 10 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 13 àtoms de llargada.
Història 2002, l'empresa IBM produeix un transistor de 6 nm. 2003, l'empresa NEC produeix un transistor de 5 nm. 2012, IBM produeix un transistor de nanotubs de carboni (CNT) per sota de 10 nm. 2015, IBM anuncia que ha fabricat el primer transistor de 7 nm usant procés de silici-germani.
Tecnologia emprada Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k Tecnologia de materials amb Dielèctric low-k Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant) Tecnologia de litografia millorada amb llum ultraviolada i multiple patterning, Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica). Tecnologia de transistor FinFET
Processadors Informació preliminar: FabricantIntelCommon PlatformTSMCNom del procésP1276Primera producció TipusFinFET Valor10 nm ΔValor10 nm ΔValor10 nm ΔPas de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xAmplada de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xAlçada de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xPas de contacte de porta ? nm ?x48 nm0.75x54 nm0.84xPas de connexió ? nm ?x36 nm0.75x38 nm0.90xCel·lula 1 bit de RAM (HD) ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?xCel·lula 1 bit de RAM (LP) ? µm² ?x ? µm² ?x0.027 µm² ?x Common Platform : IBM, Samsung, GlobalFoundries
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia SOI Tecnologia Dielèctric high-k Tecnologia Dielèctric low-k Tecnologia litogràfica amb llum ultraviolada i multiple patterning
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats