miniatura|298x298px|Figura 1: model simplificat de BJT híbrid-pi de baixa freqüència. El model híbrid-pi és un model de circuit popular utilitzat per analitzar el comportament del senyal petit dels transistors d'unió bipolar i d'efecte de camp. De vegades també s'anomena model Giacoletto perquè va ser introduït per LJ Giacoletto l'any 1969.Giacoletto, L.J. "Diode and transistor equivalent circuits for transient operation" IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol 4, Issue 2, 1969 El model pot ser bastant precís per a circuits de baixa freqüència i es pot adaptar fàcilment per a circuits de freqüència més alta amb l'addició de capacitats interelèctrodes adequades i altres elements paràsits.
El model híbrid-pi és una aproximació linealitzada de la xarxa de dos ports al BJT utilitzant la tensió de l'emissor de base de senyal petit, , i voltatge col·lector-emissor, , com a variables independents, i el corrent de base de petit senyal, , i corrent del col·lector, , com a variables dependents. miniatura|273x273px|Figura 2: model simplificat de MOSFET híbrid-pi de baixa freqüència. A la figura 1 es mostra un model híbrid-pi bàsic de baixa freqüència per al transistor bipolar. Els diferents paràmetres són els següents.
és la transconductància, avaluada en un model senzill, on:
és el corrent del col·lector en repos (també anomenat polarització del col·lector o corrent del col·lector DC) és la tensió tèrmica, calculada a partir de la constant de Boltzmann, , la càrrega d'un electró, , i la temperatura del transistor en kèlvins, . A temperatura ambient aproximadament (295K, 22°C o 71°F), és d'uns 25 mV.
és el corrent de base de CC (polarització). és el guany de corrent a baixes freqüències (generalment citat com a h fe del model de paràmetre h). Aquest és un paràmetre específic de cada transistor i es pot trobar en un full de dades. és la resistència de sortida deguda a l'efecte Early (és la tensió inicial).
Model complet miniatura|272x272px|Model híbrid-pi complet El model complet introdueix el terminal virtual, B', de manera que la resistència de propagació de la base, r bb, (la resistència a granel entre el contacte de la base i la regió activa de la base sota l'emissor) i r b'e (que representa el corrent de base). necessària per compensar la recombinació de portadors minoritaris a la regió base) es pot representar per separat. Ce és la capacitat de difusió que representa l'emmagatzematge de portadors minoritaris a la base. Els components de retroalimentació, rb'c i Cc, s'introdueixen per representar l'efecte Early i l'efecte Miller, respectivament.Dhaarma Raj Cheruku, Battula Tirumala Krishna, Electronic Devices And Circuits, pages 281-282, Pearson Education India, 2008
Referències
Categoria:Electrònica