Darlingtonovo zapojení je zapojení dvou bipolárních tranzistorů, které se chová jako jeden složený bipolární tranzistor. Vyznačuje se velkým proudovým zesílením, přibližně rovným součinu zesílení obou tranzistorů. Toho využívají například koncové stupně zesilovačů. Nevýhodou tohoto zapojení je přibližně dvojnásobné napětí mezi bází a emitorem složeného tranzistoru, protože je součtem bázových napětí obou tranzistorů. Podobné Sziklaiovo zapojení touto nevýhodou netrpí.
Popis zapojení Darlingtonovo zapojení se skládá ze dvou bipolárních tranzistorů stejné polarity, tedy dvou NPN nebo dvou PNP, které se dohromady chovají jako jeden složený bipolární tranzistor. Báze tranzistoru Q je bází složeného tranzistoru. Emitor tranzistoru Q je spojen s bází tranzistoru Q. Kolektory obou tranzistorů jsou spojeny a tvoří kolektor složeného tranzistoru. Emitor tranzistoru Q je emitorem složeného tranzistoru.
Proudové zesílení Proudové zesílení Darlingtonova zapojení je dáno proudovými zesíleními a tranzistorů Q a Q:
Odvození:
Odkazy
Reference
Externí odkazy
Kategorie:Tranzistory