náhled|vpravo|Logo sdružení the European Electronic Component Manufacturers Association (EECA) Pro Electron nebo EECA je evropský systém označování typů polovodičových součástek, elektronky a některých dalších elektronických součástek jako jsou displeje s kapalnými krystaly, vakuové obrazovky a elektronické senzory.
Pro Electron byl vytvořen v roce 1966 v belgickém Bruselu. V roce 1983 byl sloučen se sdružením European Electronic Component Manufacturers Association (EECA) a od té doby funguje jako agentura sdružení EECA.
Cílem systému označování Pro Electron je umožnit jednoznačnou identifikaci elektronických součástek vyráběných různými výrobci. Za tímto účelem výrobci u agentury registrují nové součástky a dostávají jejich typová označení.
Systém značení Příklady značení typu Pro Electron jsou: AD162 – Germaniový výkonový tranzistor pro nízkofrekvenční použití BY133 – Křemíkový usměrňovač BZY88C5V1 – Křemíková Zenerova dioda 5,1 V CQY97 – svítivá dioda ECC83 – dvojitá trioda se žhavením 6,3 V s paticí noval A63EAA00XX01 – Barevná vakuová televizní obrazovka SAA1300 – Digitální integrovaný obvod
Základem systému Pro Electron je „Jednotné evropské značení elektronek“ z roku 1934, v němž bylo několik zřídka používaných označení typu žhavení (které udává první písmeno označení součástky) použito pro označování polovodičových součástek. Druhé písmeno se používá podobně jako u elektronek: „A“ pro signálové diody, „C“ pro bipolární tranzistory nebo triody s nízkým výkonem, „D“ pro výkonové tranzistory (nebo triody), a „Y“ pro usměrňovače, ale ostatní písmenná označení se úplně přesně neřídí vzorem pro vakuové elektronky.
Po prvních dvou písmenech následují tři číslice nebo písmeno a dvě číslice, které se používají jako sériové číslo se zbytkem konvence z období elektronek, že první jedna nebo dvě číslice indikují typ pouzdra v případech jako je např. tato skupina univerzálních tranzistorů: Pouzdro NPN PNP TO-18 BC10x BC17x Lockfit BC14x BC15x TO-92 BC54x BC55x ... kde x může být: 7 pro vysoké napětí 8 univerzální 9 pro nízkošumové součástky nebo součástky s vysokým ziskem
Označování tranzistorů a Zenerových diod Pro Electron bylo široce převzaté výrobci polovodičů po celém světě. Označování integrovaných obvodů systémem Pro Electron se však s výjimkou některých speciálních integrovaných obvodů (např. pro zpracování televizního signálu) příliš nedodržuje ani v Evropě, a mnoho integrovaných obvodů používá jiné rozšířené systémy označování.
Rozdíly mezi Pro Electron a dřívější konvencí označování elektronek
U dvojic tranzistorů v jednom pouzdru se na rozdíl od konvence označování elektronek nikdy neopakuje písmeno typu – proto např. dvojitý NPN VF tranzistor mohl dostat označení „BFM505“ místo „BFF505“. Některé z nejoblíbenějších součástek používají číselné označení identifikující typ pouzdra a polaritu, ale mnoho součástek ne. Druhé písmeno má v označení polovodičových součástek jiný význam než u elektronek: “B“ se může používat pro dvojité varikapy “L“ u tranzistorů označuje VF výkonové (vysílací) tranzistory; u elektronek se používá pro výkonové pentody (také často používané jako výkonové VF) “Z“ se u polovodičů používá pro Zenerovy diody, u elektronek pro (dvoucestné) usměrňovače
Často používaná první písmena pro evropské aktivní součástky
A Germaniový (nebo jiný polovodič s materiálem polovodičového přechodu se zakázaným pásem 0,6 až 1,0 eV) B Křemíkový (nebo zakázaný pás 1,0 až 1,3 eV) C III-V polovodiče se zakázaným pásem 1,3 eV nebo více, jako Arsenid gallitý v LED D může být... Polovodiče se zakázaným pásem méně než 0,6 eV, jako je indium antimonid v infračervených detektorech (zřídka používané), nebo (Mullard–Philips) 1,4V (nebo méně) vlákno elektronky E (Mullard–Philips) elektronky se žhavením 6,3 V F Digitální integrované obvody P (Mullard–Philips) elektronky se sériovým žhavením 300 mA R součástky bez polovodičového přechodu, například fotorezistory se sulfidem kademnatým S Solitérní digitální integrované obvody (nejsou součástí žádné logické rodiny) T Lineární integrované obvody U může být... (Mullard–Philips) elektronky se sériovým žhavením 100mA, nebo Kombinované digitální/analogové integrované obvody
Elektronky
Viz Jednotné evropské značení elektronek pro detaily. Stručný souhrn nejběžnějších písmen je: ECC81 / \ \\__ poslední číslice=sériové číslo / \ \__ první číslice=báze (3=8pin 8,18,80=Noval (B9A), 9=Mini 7-pin (B7G) / \___ jeden písmeno na elektronka jednotka v elektronka: D=1,4v nebo méně A=jednoduchá dioda (nízkého výkonu) E=6,3v* B=dvojitá dioda (obvykle se sdílenou katodou, ale ne vždy) P=300mA C=trioda U=100mA F=pentoda (nízkého výkonu) L=pentoda (výkonová) Y=jednofázový usměrňovač Z=obouvlnný usměrňovač * Poznámka: některé typy se žhavením 6,3 V mají rozdělené žhavení umožňující sériové (12,6 V; implicitní pro Noval vývody 4 až 5) nebo paralelní (6,3 volt) žhavení.
Polovodičové diody a tranzistory
První písmeno – typ polovodiče (viz výše)
Druhé písmeno – použití
2. písmeno Použití PříkladAdiody s nízkým výkonem pro malé signály AA119, BA121BVarikap BB105GCTranzistor pro malé signály, RthJC > 15K/W BC546CDNízkofrekvenční výkonový tranzistor, RthJC ≤ 15K/W BD139ETunelová (Esakiho) dioda AE100FVysokofrekvenční bipolární nebo polem řízené tranzistory s nízkým výkonem, RthJC > 15K/W BF245GHybridní integrované obvody BGY32, BGY585HHallova sonda/dioda LVysokofrekvenční výkonocé tranzistory (pro vysílače), RthJC ≤ 15K/W BLW34MSměšovače s kruhovým modulátorem NOptočleny CNY17 PDetektory záření/radiace (fotodiody, fototranzistory) BPW34QZdroj záření/radiace (VEDL) CQY99 RŘídicí nebo spínací součástky s nízkým výkonem: tyristory, diaky, triaky, UJT, programovatelný unijunction tranzistory (PUT), křemíkový obousměrný přepínač (SBS), opto-triaky atd. BR100 SSpínací tranzistory, bipolární nebo MOSFET s nízkým výkonem, RthJC > 15K/W BS170TŘídicí nebo spínací výkonocé součástky: tyristory, triaky, křemíkový obousměrný přepínač (SBS), atd. BT138 USpínací tranzistory, bipolární nebo výkonové MOSFET, RthJC ≤ 15K/W BU508, BUZ11VAntény Wsoučástky s povrchovou akustickou vlnou XNásobiče frekvence: varaktory, diody se skokovým zotavením YVýkonová usměrňovací dioda BY228 ZLavinové, TVS nebo Zenerovy diody BZY91
Sériové číslo Za těmito dvěma písmeny následuje sériové číslo tvořené třemi nebo čtyřmi číslicemi (nebo další písmeno následované jednou číslicí nebo více číslicemi), přiřazené systémem Pro Electron. Ne vždy se jedná pouze o sériové číslo; číslo někdy udává nějakou informaci: U starších součástek sériové číslo často indikovalo typ pouzdra (například AF114-7 byl tranzistor v pouzdře TO-5, AF124-7 stejný tranzistor v pouzdře TO-72); moderní součástky pro povrchovou montáž často začínají číslicí „8“, Starší křemíkové tranzistory podle této úmluvy měly prostřední číslici 0-5 pro NPN a 6-9 pro PNP. Poslední číslice často indikovala určitou specifikaci nebo aplikaci seskupování, například AF117 a AF127 byly podobné součástky pro mezifrekvenční zesilovače v různých pouzdrech; BC109, BC149, BC169 a BC549 jsou podobné nízkošumové tranzistory). Některé moderní součástky používají písmeno např. „B“ indikuje bipolární tranzistory HBT.
Sufixy a specifikátory verze U některých součástek se používají sufixy, tvořené písmeny nebo číslicemi a oddělené znakem „/“ nebo „-“ od sériového čísla. Nemají vždy pevný význam, ale některé z obvyklejších konvencí jsou: u tranzistorů pro malé signály často znamenají písmena „A“ až „C“ nízký až vysoký hFE, jako je tomu např. u BC549CDatasheet for BC549, with A, B and C gain groupings), alternativním způsobem označení hFE mohou být číselné sufixy (například BC327-25) nebo označení napětí (například BUK854-800Adatasheet for BUK854-800A (800 volt IGBT)). pro diody sloužící jako napěťové reference písmena vyjadřují toleranci (písmena “A“, “B“, “C“, “D“, “E“ znamenají po řadě 1%/2%/5%/10%/20%) a mohou být následovány hodnotou Vz, např. 6V8 pro 6,8 Voltů nebo 18V pro 18 voltů. “R“ může znamenat „opačnou polaritu“.
Příklady sufixy a výrobci' rozšíření základní sériové číslo zahrnuje:
Předpona Použití Příklad PoznámkyACGermaniový tranzistor pro malé signály AC127/01 AC127 (pouzdro TO-1) s integrovaným tepelným blokemAFGermaniový VF tranzistor AFY40R sériové číslo „Y40“ implikuje průmyslové použití, „R“ indikuje redukované specifikaceBCKřemíkový tranzistor pro malé signály (“allround“ nebo „G.P.“) BC183LB „L“ indikuje pořadí vývodů Báze-Kolektor-Emitor, zatímco sufix „B“ indikuje střední zisk (240-500 hFE)BCKřemíkové tranzistory pro malé signály BC337-25 -25 indikuje hFE okolo 250 (140-400)BDKřemíkový Darlington-pár výkonový tranzistor BDT60B „B“ sufix zde indikuje střední napětí (-100VCBO)BFKřemíkový vysokofrekvenční bipolární tranzistory nebo FET BF493S BF493 s -350VCEOBLKřemíkový vysokofrekvenční výkonový tranzistor (pro vysílače) BLY49A BLY49 v pouzdře TO-66BSKřemíkový spínací tranzistor, bipolární nebo MOSFET BSV52LT1 v pouzdře SOT-23 (pro povrchovou montáž)BTKřemíkový tyristor nebo TRIAK BT138/800 TRIAK 800VBUKřemíkový vysokonapěťový tranzistor (pro obvody horizontálního rozkladu obrazu vakuových obrazovek BU508D BU508 s vestavěnou tlumicí diodouBZKřemíková Zenerova dioda BZY88-C5V6 “C“ indikuje toleranci 5 %, „5V6“ indikuje 5,6Vz
Poznámka: Někteří výrobci používali pro BC546 označení „C546“, což mohlo způsobovat nedorozumění se zkráceným označováním JIS, protože tranzistory označené „C546“ mohly být také 2SC546.
Krátký souhrn značení nejobvyklejších polovodičových diod a tranzistorů: BC549C / |--- \___ varianta (A, B, C pro tranzistory znamená nízký, střední nebo vysoký zesilovací činitel) / | \____ sériové číslo (alespoň 3 číslic nebo písmeno a 2 číslice) / typ součástky: A=Ge A=Signálová dioda B=Si C=LF tranzistor s nízkým výkonem D=nízkofrekvenční výkonový tranzistor F=vysokofrekvenční tranzistor (nebo FET) P=Fototranzistor atd. T=Triak nebo tyristor Y=Usměrňovací dioda Z=Zenerova dioda
Značení používané v zemích východního bloku Součástky vyráběné v Polsku, Maďarsku, Rumunsku a na Kubě většinou pro diskrétní polovodičové součástky používaly značení Pro Electron jako součástky západoevropské výroby. Od roku 1971 se do označení polských součástek vkládalo písmeno „P“, např. BUY54 se označovalo BUYP54. Značení součástek vyráběných v Československu (ČSSR, Tesla) a v NDR (Kombinat Mikroelektronik Erfurt, KME) se od systému Pro Electron v některých bodech lišilo: Materiál1. písmeno Pro Electron1. písmeno NDR1. písmeno ČSSRGermaniumAGGKřemíkBSKSložené materiály (GaAs atd.)CVLNěkolik materiálů (například Si + GaAs)CM –
2. písmeno NDRPoužitíBOptoizolátory (varikapy měly 2. písmeno A stejně jako jiné diody)MMOSFET (Pro Electron označuje MOSFET písmeny C, D, F, L, S, U)WJiné senzory než detektory záření/radiace
Příklady: GD241C – Germaniový výkonový tranzistor z KME; MB111 – optoizolátor z KME; KD503 – Křemíkový výkonový tranzistor z Tesly; LQ100 – LED z Tesly.
Integrované obvody Označení integrovaných obvodů je tvořeno třemi písmeny následovanými tří až pěticiferným sériovým číslem. Zpočátku byla povolena pouze trojciferná sériová čísla. Třetí číslice u označení s trojciferným sériovým číslem nebo třetí písmeno označuje u označení s měla a písmeno přiřazený význam pro digitální integrované obvody (viz níže) a rozsah pracovních teplot byl zakódován v poslední číslici sériového čísla. V roce 1973 byla specifikace změněna, aby umožňovala delší sériová čísla. Pro označení s více než trojciferným sériový číslem kóduje třetí počáteční písmeno teplotní rozsah. Volitelně může po sériovém čísle následovat písmeno verze (A, B, ...) nebo označení pouzdra.