L'antimoniuro di gallio è un composto covalente binario formato da gallio e antimonio in uguale proporzione, la cui formula minima è quindi GaSb, o anche GaIIISb−III.
È un materiale semiconduttore del gruppo III-V che viene usato per diodi LED e laser nell'infrarosso e dispositivi optoelettronici in genere.
In condizioni ambiente GaSb appare come un solido molto scuro avente lucentezza metallica, insolubile in acqua, che fonde a 712 °C.
Venne ottenuto per la prima volta da Victor Goldschmidt nel 1926 per sintesi diretta dagli elementi.
Proprietà generali GaSb è un composto moderatamente stabile dal punto di vista termodinamico, ΔHƒ° = -42 kJ/mol; al confronto, l'arseniuro di gallio (GaAs), che è un suo omologo nel gruppo III-V, è un po' più stabile (-71 kJ/mol).
È un composto cristallino non molecolare, la cui struttura è cubica, del tipo della sfalerite (o blenda di zinco, ZnS), gruppo spaziale Td2-F43m e costante di reticolo a = 609,593 pm. Nel reticolo sia il gallio che l'antimonio sono tetracoordinati e tetraedrici.
Proprietà come semiconduttore L'antimoniuro di gallio è un semiconduttore del gruppo III-V che ha un band-gap diretto pari a 0,726 eV; per confronto, il band-gap dell'arseniuro di gallio (GaAs), un suo omologo che però ha la struttura della wurtzite, è diretto ma è alquanto più alto, 1,424 eV. Per l'antimoniuro di indio (InSb), altro suo omologo, la struttura cristallina è ancora del tipo della sfalerite e il band-gap è molto piccolo, 0,17 eV.
Il suo indice di rifrazione è di 3,8 (λ = 589 nm, 20 °C); la concentrazione dei portatori di carica nel GaSb intrinseco (non drogato) è di 1,5×1012 cm−3 e la sua mobilità elettrica può raggiungere il valore di 3.000 cm2/(V·s).
Applicazioni GaSb può essere usato nei sensori a infrarossi, LED infrarossi, nei laser e nei transistor a semiconduttore.
Note
Voci correlate Antimoniuro di indio Arseniuro di gallio Arseniuro di gallio e alluminio
Categoria:Composti del gallio Categoria:Composti dell'antimonio Categoria:Semiconduttori