Lista de fábricas de semicondutores

Esta é uma lista de fábricas de semicondutores. Uma planta de fabricação de semicondutores é onde circuitos integrados (CIs), também conhecidos como microchips, são fabricados. Eles são operados por Fabricantes de Dispositivos Integrados (FDIs) que projetam e fabricam CIs internamente e também podem fabricar somente projetos (empresas sem fábrica), ou por fundições Pure Play, que fabricam projetos de empresas sem fábrica e não projetam seus próprios CIs. Algumas fundições Pure Play, como a TSMC, oferecem serviços de design de CI, e outras, como a Samsung, projetam e fabricam CIs para os clientes, ao mesmo tempo em que projetam, fabricam e vendem seus próprios CIs.

Glossário de termos Tamanho do wafer - maior diâmetro do wafer que uma instalação é capaz de processar. (Os wafers semicondutores são circulares). Nódulo de tecnologia de processo - tamanho dos menores recursos que a instalação é capaz de gravar nos wafers. Capacidade de produção - a capacidade nominal de uma instalação de manufatura. Geralmente, máximo de wafers produzidos por mês. Utilização - o número de wafers que uma fábrica processa em relação à sua capacidade de produção. Tecnologia/produtos - tipo de produto que a instalação é capaz de produzir, já que nem todas as fábricas podem produzir todos os produtos do mercado.

Fábricas em operação As fábricas operacionais incluem: Companhia Nome da fábrica Localização da fábricaCusto da fábrica (em bilhões de US$)Ano de início de produçãoTamanho do wafer (mm)Nódulo de tecnologia de processo (nm)Capacidade produtiva (Wafers/Mês) Tecnologia / produtosUMC - He JianFab 8N China, Sucheu0.750, 1.2, +0.5Maio de 20032004000–1000, 500, 350, 250, 180, 11077,000FundiçãoUMCFab 6A Taiwan, Hsinchu0.35198915045031,000FundiçãoUMCFab 8AB Taiwan, Hsinchu1199520025067,000FundiçãoUMCFab 8C Taiwan, Hsinchu11998200350–11037,000FundiçãoUMCFab 8D Taiwan, Hsinchu1.520002009031,000FundiçãoUMCFab 8E Taiwan, Hsinchu0.96199820018037,000FundiçãoUMCFab 8F Taiwan, Hsinchu1.5200020015040,000FundiçãoUMCFab 8S Taiwan, Hsinchu0.82004200350–25031,000FundiçãoUMCFab 12A Taiwan, Tainan4.65, 4.1, 6.6, 7.32001, 2010, 2014, 201730028, 1487,000FundiçãoUMCFab 12i Singapura3.72004300130–4053,000FundiçãoUMC - United SemiconductorFab 12X China, Xiamen6.2201630055–2819,000-FundiçãoUMC - USJC Fab 12M (instalações originais Fujitsu) Japão, Mie1974150, 200, 30090–4033,000FundiçãoTexas InstrumentsFFAB Alemanha, Baviera, Frisinga2001000–180Texas Instruments (antes National Semiconductor)MFAB EUA, Maine, South Portland.9321997200350, 250, 180Texas InstrumentsRFAB EUA, Texas, Richardson2009300180, 130BiCMOSTexas InstrumentsDMOS6 EUA, Texas, Dallas300130–65, 45Texas InstrumentsDMOS5 EUA, Texas, Dallas200180BiCMOSTexas InstrumentsDFAB EUA, Texas, Dallas1964150/2001000–500Texas InstrumentsSFAB EUA, Texas, Sherman1502000–1000Texas InstrumentsDHC EUA, Texas, Dallas2019FundiçãoTexas InstrumentsDBUMP EUA, Texas, Dallas2018FundiçãoTexas InstrumentsMIHO8 Japão, Ibaraki, Miho200350–250BiCMOSTexas InstrumentsAizu Japão, Fukushima, Aizuwakamatsu200110Texas Instruments (antes SMIC - Cension)Chengdu (CFAB) China, Sichuan, Chengdu200Tsinghua Unigroup China, Nanjing10 (primeira fase), 30Planejada300100,000 (primeira fase)3D NAND FlashTsinghua Unigroup - XMC (antes Xinxin)Fab 1 China, Wuhan1.9200830090, 65, 60, 50, 45, 40, 3230,000Fundição, Tsinghua Unigroup - Yangtze Memory Technologies (YMTC) - XMC (antes Xinxin)Fab 2 China, Wuhan24201830020200,0003D NANDSMICS1 Mega Fab (S1A/S1B/S1C) China, Shanghai200350–90114,000FundiçãoSMICS2 (Fab 8) China, Shanghai30045/40–32/2820,000FundiçãoSMIC - SMSCSN1 China, Shanghai10 (expected)30012 / 1470,000FundiçãoSMICB1 Mega Fab (Fab 4, Fab 6) China, Pequim2004300180–90/5550,000FundiçãoSMICB2A China, Pequim3.59201430045/40–32/2835,000FundiçãoSMICFab 7 China, Tianjin2004200350–9050,000FundiçãoSMICFab 15 China, Shenzhen2014200350–9050,000FundiçãoSMICSZ (Fab 16A/B) China, Shenzhen20193008 / 1440,000FundiçãoSMICB3 China, Beijing7.630035,000FundiçãoWuxi Xichanweixin (antes SMIC - LFoundry) (antes LFoundry) (antes Micron) (antes Texas Instruments)LF Itália, Avezzano1995200180–9050,000NanyaFab Taiwan199x300DRAMNanyaFab 2 Taiwan, Linkou0.8200020017530,000DRAMNanyaFab 3A Taiwan, New Taipei City1.85201830020DRAMMicronFab 1 EUA, VA, Manassas1981300DRAM Micron Fab 2 IMFT EUA, UT, Lehi3002570,000DRAM, 3D XPointMicronFab 4 EUA, ID, Boise300RnDMicron (antes Dominion Semiconductor)Fab 6 EUA, VA, Manassas19973002570,000DRAM, NAND FLASH, Micron (antes TECH Semiconductor)Fab 7 (antes TECH Semiconductor, Cingapura) Singapura30060,000NAND FLASHMicron Fab 10 Singapura3201130025100,000NAND FLASHMicron Fab 11 Taiwan, Taoyuan30020 and under80,000DRAMMicronFab 13 Singapura200NORMicron Singapura200NOR FlashMicronMicron Semiconductor Asia SingapuraMicron China, Xi'anMicron (antes Elpida Memory)Fab 15 (antes Elpida Memory, Hiroshima) Japão, Hiroshima30020 and under100,000DRAMMicron Fab 16 (antes Rexchip, Taichung) Taiwan, Taichung30030 and under80,000DRAM, FEOLMicron Micron Memory Taiwan Taiwan, Taichung?, 2018300DRAM, BEOLMicronA3 Taiwan, TaichungSob construção300DRAMIntelD1B EUA, OR, Hillsboro199630010 / 14 / 22MicroprocessadoresIntelD1C EUA, OR, Hillsboro200130010 / 14 / 22MicroprocessadoresIntelD1D EUA, OR, Hillsboro20033007 / 10 / 14MicroprocessadoresIntelD1X EUA, OR, Hillsboro20133007 / 10 / 14MicroprocessadoresIntelFab 12 EUA, AZ, Chandler199630014 / 22 / 65Microprocessadores & chipsetsIntelFab 32 EUA, AZ, Chandler3200730045IntelFab 32 EUA, AZ, Chandler200730022 / 32MicroprocessadoresIntelFab 42 EUA, AZ, Chandler1020203007 / 10MicroprocessadoresIntel2, unknown EUA, AZ, Chandler202024MicroprocessadoresIntelFab 11x EUA, NM, Rio Rancho200230032 / 45MicroprocessadoresIntel Fab 18 Israel, Kiryat Gat1996200, 30045 / 65 / 90 / 180Microprocessadores e chipsets, IntelFab 10 Irlanda, Leixlip1994200IntelFab 14 Irlanda, Leixlip1998200IntelFab 24 Irlanda, Leixlip200430014 / 65 / 90Microprocessadores, chipsets e CommsIntelFab 28 Israel, Kiryat Gat200830010 / 22 / 45MicroprocessadoresIntelFab 68 China, Dalian2.520103006530,000–52,000Microprocessadores (antes), VNANDIntel Costa Rica, Heredia, Belén199730014 / 22PackagingGeneral Motors Components HoldingsFab III EUA, IN, Kokomo125/200500+Raytheon Systems Ltd Reino Unido, Scotland, Glenrothes1960100CMOS-on-SiC, FundiçãoBAE Systems EUA, NH, Nashua1985100, 150140, 100, 70, 50MMIC, GaAs, GaN-on-SiC, FundiçãoFlir Systems EUA, CA, Santa Barbara150IR Detectors, Thermal Imaging SensorsTeledyne DALSATeledyne DALSA Semiconductor Canadá, QC, Bromont1980150/200HV ASICs, HV CMOS, MEMS, CCDTeledyne e2vTeledyne e2v Reino Unido, Chelmsford, Essex1980150/200CCD Fab, CMOS Packaging, III-V, MCT, 6 inch and 8 inch backthinningQorvo (antes RF Micro Devices) EUA, NC, Greensboro100,1505008,000SAW filters, GaAs HBT, , GaNQorvo (antes TriQuint Semiconductor) (antes Texas Instruments) (antes TwinStar Semiconductor) EUA, TX, Richardson0.51996100, 150, 200350, 250, 150, 908,000DRAM (antes), BAW filters, , , GaN-on-SiCQorvo (antes TriQuint Semiconductor) EUA, OR, Hillsboro100, 150500Power amps, GaAsApple X3 EUA, CA, San Jose?, 1997, 2015600–90Analog DevicesLimerick Irlanda, Limerick200Analog DevicesWilmington EUA, MA, Wilmington200/150Analog Devices (antes Linear Technology)Hillview EUA, CA, Milipitas150Analog Devices (antes Linear Technology)Camas EUA, WA, Camas150Analog Devices (antes Maxim Integrated)MaxFabNorth EUA, OR, BeavertonISROSCL Índia, Mohali2006200180MEMS, CMOS, CCD, N.S.STAR-CMEMS Índia, Bangalore19961501000–500MEMSSTAR-CCMOS Índia, Bangalore19961501000–500CMOSGAETEChttp://www.gaetec.org/GaAs Índia, Hyderabad1996150700–500MESFETTower Semiconductor Fab 9 EUA, TX, San Antonio2003200180 Ver também

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