Анато́лий Васи́льевич Двуре́ченский () — советский и российский , доктор физико-математических наук (1988), профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008), член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, заместитель директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (2000), заведующий Лабораторией неравновесных полупроводниковых систем (1987).

Специалист в области радиационной физики, атомной структуры и электронных явлений в полупроводниковых низкоразмерных системах, микро-, опто− и наноэлектроники. Автор и соавтор более 380 научных публикаций. Имеет более 4000 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2021 год) — 28.

Биография А. В. Двуреченский родился 10 апреля 1945 года в Барнауле. Старший из трёх сыновей в семье Василия Арсентьевича Двуреченского.

Закончил школу в Бийске с серебряной медалью. Поступил в НГУ в 1963 года. На выбор кафедры оказали влияние лекции А. Ф. Кравченко в ИФП.

В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета и начал работать в лаборатории радиационной физики Института физики полупроводников СО АН СССР (ИФП СО РАН). А. В. Двуреченский защитил кандидатскую диссертацию по теме «Взаимодействие дефектов, введённых ионной бомбардировкой, между собой и примесью» в 1974 году. В 1988 году защитил докторскую диссертацию по теме «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния».

С 1987 года А. В. Двуреченский возглавляет Лабораторию неравновесных полупроводниковых систем в ИФП СО РАН. В 1988 году вместе с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе и ФИАН становится лауреатом Государственной премии СССР за «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел („лазерный отжиг“)». С 1987 года учёный работает на физическом факультете НГУ и преподаёт на кафедре физики полупроводников, на которой разработал и читает спецкурсы «Радиационная физика полупроводников» и «Физические основы нанотехнологии». В 1991 году стал профессором этой кафедры. В 1993 году ему присвоено звание профессора по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков».

А. В. Двуреченский с 2002 года занимает должность заместителя директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по научной работе. В 2008 году был избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН по специальности «наноэлектроника». Также в рамках международного сотрудничества он работал в университете штата Нью-Йорк в Олбани, исследовательском центре Россендорфа, Фуданьском университете. С 2012 года является членом комиссии по развитию физики Международного Союза Фундаментальной и Прикладной Физики (IUPAP).

А. В. Двуреченский является заместителем председателя Научного совета РАН по теме «Радиационная физика твердого тела», членом научных советов РАН по проблемам «Физика полупроводников» и «Физико-химические основы материаловедения полупроводников». Учёный состоит в редколлегии журналов «Известия ВУЗов, материалы электронной техники», «Успехи прикладной физики», является заместителем председателя диссертационного совета по защитам докторских и кандидатских диссертаций при ИФП СО РАН, а также руководителем ряда программ СО РАН и членом Экспертного совета ВАК по физике.

Под руководством А. В. Двуреченского защищено 12 кандидатских и 6 докторских диссертационных работ. Является автором и соавтором более 380 научных публикаций, включая главы в 9 коллективных монографиях, 10 авторских свидетельств и трёх патентов.

Супруга — Серафима Яковлевна. Дочь — Елена.

Научный вклад Основные научные интересы А. В. Двуреченского относятся к радиационной физике, атомной структуре и электронным явлениям в полупроводниках и полупроводниковых низкоразмерных системах, технологиям полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Ключевые области его исследований: атомная и электронная конфигурация дефектов, вводимых в полупроводники при облучении быстрыми частицами; синтез полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков; гетероструктуры с квантовыми точками, квантовыми ямами; лазерный отжиг.

Значительная часть работ была посвящена разработке метода и технологии легирования полупроводников с помощью ионной имплантации и нейтронного облучения. Важным достижением стало открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел. Фронт кристаллизации при этом двигался со скоростью несколько метров в секунду, что превышало обычные скорости роста кристаллов на много порядков. Это позволило восстанавливать кристаллическую структуру ионно-легированных полупроводниковых пластин после импульсного лазерного воздействия и контролировать распределение квантовых точек в наноструктурах по размерам. Исследовал влияние высоких скоростей нагрева и охлаждения при воздействии импульсным лазерным излучением и электронным пучком на закономерности структурных превращений, пространственного распределения и растворимости легирующих элементов на поверхности полупроводников. А. В. Двуреченскому в составе коллектива авторов из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе, ФИАН в 1988 году присуждена Государственная премия СССР «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел («лазерный отжиг»)».

Позже установил ограничения использования лазерного отжига в микроэлектронике. За эти работы в 1988 году присуждена международная премия Академий наук СССР и ГДР «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники».

А. В. Двуреченский исследовал морфологические изменения поверхности при росте из молекулярных и ионно-молекулярных пучков с последующим лазерным отжигом, что продвинуло его в разработке технологии создания нового класса полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками в системе германий/кремний. Изучал электрические, оптические и магнитные явления в новосозданных наногетероструктурах и возможности их применения в полупроводниковых приборах. Изучал перенос заряда, кулоновское взаимодействие и возникновение неоднородных упругих деформаций в наноструктурах с квантовыми точками. Установил механизмы переноса заряда, оптических переходов и спиновой релаксации в системах квантовых точек.

Занимался изучение инфракрасных фотодетекторов и способов увеличения их квантовой эффективности. За эти работы А.В. Двуреченскому в составе российско-белорусского авторского коллектива Национальной академией Беларуси и СО РАН присуждена премия имени академика В.А. Коптюга.

Библиография

Общественная позиция Подписал открытое письмо учёных президенту России В. В. Путину, выражающее обеспокоенность кризисом фундаментальной науки после реформы РАН в 2013 году. В письме критикуются негативные последствия этой реформы и предлагаются меры по восстановлению единства системы научных институтов и РАН, увеличению финансирования, повышению роли учёных в управлении наукой.

Награды и почётные звания Международная премия Академий наук СССР и ГДР (1988) в составе авторов за цикл совместных работ «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники». Государственная премия СССР (1988) в составе авторов за цикл работ «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел („лазерный отжиг“)». Почётные грамоты РАН (1999, 2004), Министерства образования и науки РФ (2007), города Новосибирска (2014, 2015). Премия Правительства РФ в области образования (2014). Почётная грамота Президента Российской Федерации (2024) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук Почётная грамота Российской академии наук (23 апреля 2024) — за многолетний плодотворный труд на благо отечественной науки, значительный вклад в развитие фундаментальных и прикладных научных исследований в области полупроводников, физики конденсированного состояния, полупроводниковой микро- и наноэлектроники, квантовых технологий и в связи с 60-летием основания федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Примечания

Литература

Ссылки

Категория:Сотрудники Сибирского отделения АН СССР Категория:Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН