Са Чжита́н (, , 10 ноября 1932—5 июля 2025Са Чжитан) — китайский и американский учёный, почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html
Обрел популярность в физике и технике известной моделью Са при рассмотрении стандартных МОП-транзисторов, опубликованной в 1964 году.C. T. Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)«Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models», B. B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, Август 2007. Суть модели Са заключается в упрощении рассмотрения режима «сильной инверсии на поверхности полупроводника, возникающей вследствие эффекта поля и позволяющей получить аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) МОП-транзисторов». В свою очередь это позволило осмысленно использовать МОП-транзисторы в технике, бурное развитие которой в 1970-е годы привело к разработке СБИС (сверхбольших интегральных схем), которые широко используются даже сегодня при производстве микропроцессоров.
Список наград 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award 2000 — Избран в Китайскую Академию Наук 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science 1995 — IEEE Life Fellow 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois В 1989 — IEEE Jack Morton Award 1986 — Избран в Американскую национальную Академию Инженеров 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven 1971 — Член Американского Физического Товарищества 1969 — Член Американского Института по Электрики и Электронной Инженерии (IEEE) 1000 world’s Most Cited Scientists, 1865—1978, Институт научной информации
Литература Kurze Biographie bei NSTI Nanotechnology Conference 2005
Примечания
Патенты 3,204,160 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, August 1965 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966 3,243,669 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, March 1969 Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel 4,343,962 — Oxide Induced Charge High Low Emitter Junction Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982
Категория:Физики США Категория:Физики Китая Категория:Преподаватели Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне Категория:Выпускники Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне Категория:Выпускники Инженерного колледжа Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне