Ви́ктор Я́ковлевич Принц (21 апреля 1950, Тавда, Свердловская область — 24 июня 2021, Новосибирск, Новосибирская область) — советский и российский , доктор физико-математических наук (2005), член-корреспондент РАН (2019). Специалист в области полупроводников и нанотехнологий. Занимался вопросами диагностики и контроля качества многослойных структур. Разработал технологию создания трёхмерных наноструктур из планарных гетероструктур, состоящих из полупроводников, металлов, диэлектриков и двумерных материалов. Инициировал работы по созданию самоформирующихся массивов трёхмерных наноструктур: монокристаллических нанонитей и нанокристаллов со встроенными металлическими наноиглами.

Биография Родился 21 апреля 1950 года в городе Тавде Свердловской области в семье высланных в начале Великой Отечественной войны крымских немцев, где с апреля 1941 по август 1945 гг. находился Тавдинский ИТЛ. После разрешения в 1956 году покинуть поселение семья переехала в город в Тараз в Казахстан. Используя приусадебный участок семья смогла выжить. Отец работал на заводе в литейном цехе, а мать — учителем.

В 1972 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». С этого же года начал работать в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в должностях младшего, затем старшего научного сотрудника. В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твёрдых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии» под руководством Александра Филипповича Кравченко. В начале 1980-х годов В. Я. Принц занимался прикладными исследованиями, связанными с микроэлектроникой. В частности, решал проблему контроля качества полупроводниковых материалов, используемых для создания интегральных схем и СВЧ полевых транзисторов.

С 1992 года — заведующий лабораторией физики и технологии трёхмерных наноструктур. В начале 1990-х годов заинтересовался напряжёнными плёнками полупроводников и исследовал управляемые трещины в них. Разработка технологии сворачивания напряжённых двойных слоёв привела к появлению нового раздела наномеханики в 2000 году, которое впоследствии получило в русскоязычной литературе название Принц-технологии. 18 октября 2005 года защитил докторскую диссертацию «Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряжённых гетероструктур» (официальные оппоненты — В. Н. Брудный, Н. Ф. Морозов, А. В. Окотруб).

Являлся экспертом по физике и нанотехнологии «Сколково», РФФИ, группы ОНЭКСИМ, входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ. На протяжении многих лет являлся рецензентом журналов издательства IOP Publishing. Член редколлегии научного журнала ISRN Nanotechnology.

Автор 140 научных работ, 34 патентов и 4 монографий (согласно другим данным: 240 статей и 120 патентов). По состоянию на сентябрь 2023 года имел более 2700 цитирований (Web of Science) своих работ. Индекс Хирша (2023) — 23.

Умер 24 июня 2021 года от COVID-19. Похоронен на Южном кладбище Новосибирска.

Сын — Александр Викторович Принц. Двоюродный дедушка — академик Яков Иванович Принц.

Научный вклад

Тройные растворы полупроводников с составом типа AxC1-xB (например, In0,25Ga0,75As) имеют отличающуюся от полупроводников AIIIBV (например, GaAs, InAs) постоянную решётки, поэтому при эпитаксиальном росте в таких структурах возникают сильные механические напряжения. Такой рост называют псевдоморфным и существует критическая толщина плёнки, при которой она остаётся согласованной по постоянной решётке с подложкой. Для пары материалов GaAs и InAs разница в постоянных решётки достигает 7,2 %, то есть возможно вырастить напряжённую плёнку толщиной только в несколько монослоёв на подложке InP. GaAs и InAs подстраиваются под постоянную решётки InP, в результате формируя , состоящую из сжатого слоя InAs и растягнутого — GaAs. В. Я. Принц предложил использовать биплёнки с асимметричным напряжением, выращенных на InP подложке с дополнительным тонким слоем AlAs, расположенным между подложкой и псевдоморфной плёнкой. Этот метод получил название Принц-технология. Если удалить жертвенный слой (AlAs) посредством селективного травления, релаксация напряжений в бислое приводит к сворачиванию структуры, формируя свиток с диаметром порядка где d — толщина биплёнки, a — постоянная решётки, Δa — разница в постоянных решётки между двумя слоями плёнки. Полученные свитки имели диаметр в диапазоне между 3 нм и 10 мкм. Из-за анизотропии модуля Юнга, ориентируя узкие полоски бислоёв на подложках, можно создавать спирали и кольца. Управляя составом (постоянной решёткой) и толщиной бислоя, можно управлять размером трёхмерных наноструктур. В 2001 году были продемонстрированы различные свободные трёхмерные массивы наноструктур на основе GexSi1-x псевдоморфных плёнок.

В лаборатории В. Я. Принца изучался диоксид ванадия, который может испытывать фазовый переход из проводника в диэлектрик при комнатной температуре, при котором меняются параметры его кристаллической структуры на один процент, что вызывает формирование больших напряжений и приводит к разрушению кристаллов. Создавая малую площадь кремниевой подложки и фиксируя температуру роста VO2 около 460 °C, можно получить монокристаллы диоксида ванадия на остриях кремниевых игл.

Статьи Основные статьи

Статьи на русском языке

Диссертации

Примечания

Литература

Ссылки

Категория:Выпускники Новосибирского государственного университета Категория:Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН Категория:Умершие от COVID-19 в России Категория:Похороненные на Южном кладбище (Новосибирск)