Одноперехо́дный транзи́стор (двухбазовый диод, ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Устройство и обозначение
Основой транзистора является кристалл полупроводника (например n-типа), который называется базой. На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми располагается область, имеющая выпрямляющий контакт Э с полупроводником p-типа, выполняющим роль эмиттера.
Выпускался в СССР и имел обозначение КТ 117А (Б, В, Г). Зарубежные аналоги — 2N6027, 2N6028 — выпускаются и сейчас.
История Конструкция прибора относится к сплавным структурам на брусках германия, впервые описанным Шокли, Пирсоном и Хайнсом. В то время такая структура называлась нитевидным транзистором. В процессе развития прибор имел объёмную структуру, затем диффузионно-планарную и, наконец, эпитаксиально-планарную. Изменялось и его название от «диода с двойной базой» до последнего «однопереходного транзистора».
Принцип работы
Усилительные и переключающие свойства ОПТ обусловлены изменением сопротивления базы в результате инжекции в неё неосновных носителей зарядa.
Принцип действия однопереходного транзистора удобно рассматривать воспользовавшись эквивалентной схемой, где верхнее сопротивление и нижнее сопротивление — сопротивления включенные между соответствующими выводами базы и эмиттером, а диод показывает эмиттерный р-n переход.
При работе транзистора к выводу базы B1 относительно вывода базы B2 прикладывается положительное напряжение смещения вызывающее протекание тока через последовательно соединённые сопротивления и , что создаёт на них падение напряжения. Если напряжение на эмиттере относительно вывода базы B2 меньше падения напряжения на сопротивлении то диод закрыт, и через него течёт только обратный ток утечки — участок вольт-амперной характеристики (ВАХ) при напряжении ниже Когда же напряжение становится выше напряжения на сопротивлении , диод начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом падение напряжения на сопротивлении уменьшается из-за инжекции носителей заряда в область полупроводника прибора соответствующей что приводит к увеличению тока через диод в цепи вывод E — это, в свою очередь, вызывает ещё большее уменьшение сопротивления и падения напряжения на нём. Этот процесс развивается лавинообразно. Сопротивление уменьшается быстрее, чем увеличивается ток через р-n переход, в результате на ВАХ однопереходного транзистора появляется область отрицательного сопротивления (участок A-B). При дальнейшем увеличении тока зависимость сопротивления от тока через р-n переход уменьшается, и при значениях бо́льших некоторой величины (участок B-C) сопротивление не зависит от тока (область насыщения).
При уменьшении напряжения смещения ВАХ смещается влево и при нулевом напряжении смещения обращается в характеристику полупроводникового диода.
Параметры ОПТ Основными параметрами однопереходных транзисторов являются: межбазовое сопротивление коэффициент передачи , характеризующий напряжение переключения и определяется по формуле:
напряжение срабатывания — минимальное напряжение на эмиттере, необходимое для перехода прибора из состояния с большим сопротивлением в состояние с отрицательным сопротивлением; ток включения — минимальный ток, необходимый для включения однопереходного транзистора, то есть перевода его в область отрицательного сопротивления; ток выключения — наименьший эмиттерный ток, удерживающий транзистор во включенном состоянии; напряжение выключения — напряжение на эмиттерном переходе при токе через него, равном Iвыкл; обратный ток эмиттера — ток утечки закрытого эмиттерного перехода.
Применение Однопереходные транзисторы получили широкое применение в различных устройствах автоматики, импульсной и измерительной техники — генераторах, пороговых устройствах, делителях частоты, реле времени и т. д. Хотя основной функцией ОПТ является переключатель, в основном функциональным узлом среди большинства схем на ОПТ является релаксационный генератор.
В связи с относительно большим объёмом базы однопереходные транзисторы уступают биполярным по частотным характеристикамВ. В. Пасынков, Л. К. Чиркин Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов — 4-е изд. — М.: Высшая школа, 1987. — 478 с. ил..
См. также Тиристор Диод Программируемый однопереходный транзистор
Примечания
Литература Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1973.
Нефёдов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги, 1980. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Б. Л. Перельмана, 1981. Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение. М.: СОЛОН-Пресс, 2008.- 240 с. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. М.: СОЛОН-Пресс. 2008.- 384 с.
Категория:Полупроводниковые приборы Категория:Транзисторы