Алекса́ндр Леони́дович Асе́ев (род. 24 сентября 1946, Улан-Удэ) — советский и российский физик. Академик РАН (2006, член-корреспондент с 2000), в 2008—2017 годах — её вице-президент и председатель Сибирского отделения (СО) РАН. В 1998—2013 годах — директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Биография В школьные годы увлекался радиотехникой. В 1963 году окончил среднюю школу № 3 в Улан-Удэ и поступил на физический факультет Новосибирского государственного университета. Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета в 1968 году, защитив дипломную работу на тему «Дислокационная структура изогнутых кристаллов германия» под руководством С. И. Стенина. Среди его преподавателей были такие учёные, как А. М. Будкер, И. Ф. Гинзбург, М. И. Каргаполов, А. В. Ржанов, Ю. Б. Румер. В студенческие годы участвовал в строительных отрядах, работавших в Новосибирской и Магаданской областях, Красноярском крае, Бурятской и Якутской АССР.

После окончания университета в 1968 году начал работу в Институте физики полупроводников СО РАН стажёром-исследователем. Последовательно занимал должности младшего научного сотрудника (с 1969), старшего научного сотрудника (с 1979), заведующего лабораторией (с 1985), заведующего отделом (с 1993), исполняющего обязанности заместителя директора по научной работе (с 1994), исполняющего обязанности директора (с 1997). С 1998 года по 25 апреля 2013 года являлся директором Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. С 1 сентября 2002 года по совместительству — профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Томского государственного университета. Учёное звание старшего научного сотрудника по специальности «Физика твёрдого тела» присвоено президиумом АН СССР 7 марта 1985 года.

В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках», в 1990 году — докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».

Участвовал в многочисленных российских и международных конференциях, входил в организационные и программные комитеты IV—VI Российских конференций по физике полупроводников (1999—2003), международных симпозиумов «Nanostructures: Physics and Technology» (Санкт-Петербург, 2001—2003), школ по материаловедению и электронной микроскопии (Берлин, Галле, 1997—2002), IX и X Национальных конференций по росту кристаллов (Москва, 2000, 2002) и других. Возглавляет диссертационные советы по физике конденсированного состояния и по физике полупроводников в Институте физики полупроводников СО РАН. Является членом научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения и электронной микроскопии, а также членом совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия). Входит в редакционные коллегии журналов «Crystal Research and Technology» (Берлин, с 1996), «Физика и техника полупроводников» (Санкт-Петербург, с 2000), «Автометрия» (Новосибирск, с 2000) и «Известия вузов. Материалы электронной техники» (Москва, с 2002).

Начиная с 1970-х годов неоднократно проводил исследования в Институте физики микроструктур в Галле (Германия). В 1993 году знакомился с работой отделения материалов Оксфордского университета (Великобритания) и Центра ядерных исследований в Гренобле (Франция). В 1996 году преподавал на физическом факультете Университета штата Висконсин (США).

В 2000 году избран членом-корреспондентом РАН. С 2006 года — академик РАН.

В 2008—2017 годах — председатель Сибирского отделения (СО) РАН, вице-президент РАН.

Учениками Асеева защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Среди его учеников — А. В. Латышев (заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО РАН) и Л. И. Федина (старший научный сотрудник того же института).

Асеев — автор и соавтор 200 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов.

Александр Асеев входит в состав учёного совета НГУ.

Член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Научный вклад Основные направления исследований — физика полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых систем, физика и технология твердотельных микро- и наноструктур.

С применением методов электронной микроскопии атомного разрешения им изучены процессы структурных перестроек на атомно-чистых поверхностях кремния и на границах раздела полупроводниковых структур, установлены характеристики точечных дефектов в кристаллах кремния и германия при их взаимодействии друг с другом, с поверхностью, примесными атомами и дислокациями. Исследованы механизмы пластической деформации этих кристаллов, а также дислокационные механизмы релаксации упругих напряжений в эпитаксиальных системах кремний-германий и германий-арсенид галлия. В ходе изучения формирования кластеров точечных дефектов при облучении кристаллов высокоэнергетическими электронами и ионной имплантации разработаны представления о метастабильных конфигурациях собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Получены принципиально новые сведения о нестабильности системы диффузионно-связанных моноатомных ступеней на поверхности кремния в ходе сублимации, эпитаксии и фазовых переходов.

В сфере актуальных разработок — создание полупроводниковых микро- и наноструктур, исследование квантовых и одноэлектронных эффектов, а также разработка нового поколения устройств микро-, нано- и оптоэлектроники. Активно используются методы оптической, электронной и зондовой литографии, а также диагностика наноструктур методами просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, отражательной и сканирующей электронной микроскопии и зондовой микроскопии. Результатом этих работ стало создание устройств СВЧ-электроники, нано- и одноэлектронных транзисторов, фотоприёмников инфракрасного диапазона, поверхностно-излучающих лазеров и квантовых интерферометров.

Под его руководством в институте ведутся работы по материаловедению кремния и структур на его основе для нужд силовой и радиационно-стойкой электроники, а также солнечной энергетики.

Научные труды

Общественная позиция Активный противник реформы Российской академии наук по предлагаемому Правительством РФ проекту с самого её начала в 2013 годуКак на самом деле академик Асеев оценивает проект «академической реформы» (2013). В середине сентября 2017 года в своём обращении оценил реформы как «непродуманные и катастрофические», возложил на «реформаторов» вину за срыв выборов президента РАН в марте и предупредил о возможности срыва ими и сентябрьских выборов. В том же обращении одобрил решение Президиума СО РАН о поддержке на выборах кандидатур Е. Н. Каблова и Г. Я. Красникова, так как «они в значительной степени независимы от основного инструмента в проведении разрушительных для РАН „реформ“ — ФАНО».

Скандал с приватизацией коттеджа В 2010 году на месте коттеджа на улице Мальцева, в котором жила вдова академика Д. К. Беляева с сыном, был построен новый дом площадью около 600  и гараж на два автомобиля. 18 ноября 2019 года в здании управления делами СО РАН прошли обыски, причиной стали подозрения о превышении должностных полномочий бывшим управляющим делами СО РАН Эдуарда Скубневского. «В ходе незаконных действий управляющего делами СО РАН произошло выбытие объекта недвижимости из собственности Российской Федерации и причинение ущерба бюджету на сумму более 67 миллионов рублей», — говорится в официальном сообщении следственного комитета. По мнению следствия, в 2014 году Скубневский, в нарушении действующего законодательства и порядка предоставления служебных помещений, заключил с председателем президиума А. Л. Асеевым на безвозмездной основе договор служебного найма коттеджа. Э. В. Скубневский сообщил, что учёные, занимавшие коттеджи, в 2014 году захотели их приватизировать, для чего необходимо было оформить договора соцнайма. «Я подписывал их всем, и это было абсолютно законно».

В 2015 году после того, как стало известно о приватизации коттеджа, академики Н. Л. Добрецов, А. П. Деревянко, Ю. И. Шокин, В. Н. Пармон и А. Э. Конторович потребовали от Асеева сложить с себя полномочия. Позднее Алексей Конторович выступил в защиту Асеева.

Асеев в ноябре 2019 года прокомментировал данный инцидент изданию Газета.ру: «Я уехал на конференцию в Дубай, где делаю доклад. Это большая глупость и дурь, как и обыски у Колачевского. Вопрос этот давно решён, и все судебные разборки прошли. Кому-то неймётся нагнетать истерику вокруг Академии. Всё это не красит Следственный комитет… Мне выделили коттедж Беляева, он оказался в плохом состоянии, его обновили, причём за мой счёт. Плюс четырёхкомнатную квартиру, построенную на собственные деньги, я передал в казну, потом её передали Сибирскому отделению». В интервью ТАСС Асеев сообщил, что планирует «подавать встречный иск за нанесение ущерба деловой репутации и морального ущерба». 20—21 ноября 2019 года в Дубае проходила международная конференция по нанотехнологии и наноматериалам, где Асеев входил в организационный комитет конференции и представил доклад «Полупроводниковые наноструктуры: физика, технология и применения».

В апреле 2023 обвинение попросило суд признать Асеева виновным по ч. 4 ст. 159 УК РФ (мошенничество, совершенное с использованием служебного положения в особо крупном размере) и назначить наказание в виде пяти лет лишения свободы условно с испытательным сроком 3 года со штрафом 500 тыс. рублей. Суд признал обвиняемого виновным, назначил наказание в виде 4 годов лишения свободы условно, а также штрафа в 500 тыс. р.. 21 декабря 2023 академик Асеев лишен звания почётного жителя города Новосибирска по решению депутатов городского совета Новосибирска. В 2025 году областной суд Новосибирска полностью снял судимость с академика РАН.

Награды и почести Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» I степени (25 января 2017) — за большой вклад в развитие науки, образования, подготовку квалифицированных специалистов. Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2008)Указ Президента Российской Федерации от 11 марта 2008 г. № 331 «О награждении государственными наградами Российской Федерации» . Почётный профессор Бурятского государственного университета (2010). Иностранный член Монгольской академии наук (2011) Иностранный член Национальной академии наук Беларуси (2014)

Семья Дед — Семён Дмитриевич (1885—), работал машинистом на Восточно-Сибирской железной дороге и был удостоен Сталинской премии III степени в 1952 году; паровоз, на котором он трудился, сегодня стоит как памятник на станции Улан-Удэ. Отец — Леонид Семенович (1913(1914?)—1982), потомок железнодорожной династии. Занимал должности начальника цеха и парторга на Улан-Удэнском локомотиво-вагоноремонтном заводе, а в 1963—1973 годах возглавлял Бурятский республиканский совет профсоюзов. За свою деятельность он был отмечен орденами Трудового Красного Знамени и «Знак Почёта» (последний — трижды), медалью «За доблестный труд в Великой Отечественной войне», а также знаком «Почётный железнодорожник». Мать — Клавдия Митрофановна (1918—1993), урождённая Овчинникова, происходила из семьи сибирских старожилов, работала фельдшером и воспитала двух сыновей. Брат — Валерий (1941—2001), трудился на том же локомотиво-вагоноремонтном заводе в Улан-Удэ. Жена — Вера Николаевна (р. 1947), урождённая Близнюк, кандидат химических наук, выпускница Новосибирского государственного университета, работавшая в Институте неорганической химии СО РАН. Дочь — Ольга (р. 1971) окончила Новосибирский медицинский институт и работает в представительстве фармацевтической компании в Москве.

Примечания

Литература

Интервью Интервью А. Л. Асеева // «Наука в Сибири», 23 мая 2013, спецвыпуск Интервью академика А. Л. Асеева на сайте «Научная Россия»

Ссылки

Страница А. Л. Асеева на сайте Сибирского отделения РАН Персональная страница на сайте Фотоархив СО РАН