Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти, так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований к создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.
Сводные данные микросхем, применявшихся в СССР для создания памяти компьютера +Полупроводниковые БИС запоминающих устройств, применяемые в ЭВМ Тип Технологияизготовления Информационныйобъём, бит Организация, слов × разрядов Время выборки адреса, нс Потребляемаямощность, мВт Статические ОЗУ К500РУ145 ЭСЛ 64 16 × 4 10 825 К531РУ11П ТТЛШ 64 16 × 1 40 550 К155РУ5 ТТЛ 256 256 × 1 90 735 К176РУ2 КМОП 256 256 × 1 900 19 К561РУ2А/Б КМОП 256 256 × 1 970/1600 2,8/5 К132РУ2А/Б n-МОП 1 К 1 К × 1 950 440 К132РУ3А/Б n-МОП 1 К 1 К × 1 75/125 660 К155РУ7 ТТЛ 1 К 1 К × 1 45 840 К537РУ1А/Б/В КМОП 1 К 1 К × 1 800/1300/2500 0,5 КР565РУ2А/Б n-МОП 1 К 1 К × 1 450/850 385 КМ132РУ8А/Б n-МОП 4 К 1 К × 4 60/100 900 К541РУ2А И2Л 4 К 1 К × 4 120/90 525 КР537РУ3А/Б/В КМОП 4 К 4 К × 1 320 110 КР537РУ4А/Б КМОП 4 К 4 К × 1 200/300350/500 (цикл) 0,125 (хранение)100 (динамически) КР537РУ6А/Б КМОП 4 К 4 К × 1 160/300240/390 (цикл) 0,05/0,15 (хранение) КР537РУ11А/Б/В КМОП 4 К 0,25 К × 16 300/300/430 (цикл) 0,15/0,4/1,5 (хранение) КР537РУ13/А/Б КМОП 4 К 1 К × 4 160/95/160 (цикл) 25 (хранение)250 (динамически) КР537РУ14А/Б КМОП 4 К 4 К × 1 80/130 (цикл) 25 (хранение)175 (динамически) К541РУ31…34 И2Л 8 К 8 К × 1 150 565 КР537РУ8А/Б КМОП 16 К 2 К × 8 220/400 5/10 (хранение)50/100 (динамически) КР132РУ6А/Б n-МОП 16 К 16 К × 1 75/120 140/440 К541РУ3/А И2Л 16 К 16 К × 1 150/100 565 КР537РУ9А/Б КМОП 16 К 2 К × 8 190/340350/500 (цикл) 1/2,5 (хранение)175 (динамически) КР537РУ10 КМОП 16 К 2 К × 8 450450 (цикл) 25 (хранение)<300 (динамически) КР537РУ25А/Б/В КМОП 16 К 2 К × 8 450450 (цикл) 0,025...0,05 (хранение)<250 (динамически) КР537РУ18 КМОП 16 К 16 К × 1 150 1.25...2 (хранение)100 (динамически) КР537РУ16А/Б/В/Г КМОП 64 К 8 К × 8 150...400150...400 (цикл) 5...10 (хранение)175...250 (динамически) КР537РУ17 КМОП 64 К 8 К × 8 130130 (цикл) 0,38...0,75 (хранение)350 (динамически) КР537РУ19/А/Б КМОП 64 К 64 К × 1 65...95 1,25 (хранение)350 (динамически) Динамические ОЗУ КР565РУ6Б/В/Г/Д n-МОП 16 К 16 К×1 230…460 150/140/130/120 К565РУ5Б/В/Г/Д n-МОП 64 К 64 К×1 230…460 21…32 К565РУ7В/Г/Д n-МОП 256 К 256 К×1 340/410/500 120…150 Масочные ПЗУ К155РЕ21/22/23/24 ТТЛ 1 К 256×4 70 690 КР568РЕ2 n-МОП 64 К 8 К×8 400 590 К569РЕ1 ТТЛ 64 К 8 К×8 350 640 КР568РЕ3 n-МОП 64 К 16 К×4 800 300 Однократно программируемые ПЗУ КР556РТ1Б ТТЛШ 8 К 2К×4 60 740 КР556РТ16 ТТЛШ 64 К 8К×8 85 1000 КР556РТ17 ТТЛШ 4 К 0,512К×8 50 890 КР556РТ18 ТТЛШ 16 К 2К×8 60 950 Репрограммируемые ПЗУ К573РФ23/24 n-МОП 8К 2К×4 450 200/580 К573РФ33/34 n-МОП 16 К 1К×16 200/580 200/580 К573РФ2 n-МОП 16 К 2К×8 450 200/580 К537РФ5 n-МОП 16 К 2К×8 450 135/580 К573РФ31/32 n-МОП 32 К 2К×16 450 450 К537РФ41/42 n-МОП 32 К 4К×8 500 700 К573РФ43/44 n-МОП 32 К 8К×4 Н/Д Н/Д К573РФ3 n-МОП 64 К 4К×16 450 210/450 К573РФ4 n-МОП 64 К 8К×8 500 200/700 К573РФ6 n-МОП 64 К 8К×8 500 265/870
Микросхемы для построения ОЗУ ИМС Тип корпуса Примечание Серия К132 n-МОП статические ОЗУ; +5 ВК132РУ3А 4112.16-2 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нсК132РУ3Б 4112.16-2 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс Серия КМ132 n-МОП статические ОЗУ; +5 ВКМ132РУ3А 201.16-8 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нсКМ132РУ3Б 201.16-8 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нсКМ132РУ5А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 60 нсКМ132РУ5В 2104.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 55 нсКМ132РУ8А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 60 нсКМ132РУ8Б 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 100 нсКМ132РУ9А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 50 нсКМ132РУ9Б 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс Серия КР132 n-МОП статические ОЗУ; +5 ВКР132РУ3А 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нсКР132РУ3Б 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нсКР132РУ4А 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 33 нсКР132РУ4Б 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 50 нсКР132РУ6А 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 16К×1; 45 нс; 410 мВтКР132РУ6Б 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 16К×1; 70 нс; 410 мВтКР132РУ7 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 2К×8; 250 нс Серия КМ185 ТТЛ ОЗУ; +5 ВКМ185РУ7 2108.22-1 ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВтКМ185РУ7А 2108.22-1 ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВтКМ185РУ8 2108.22-1 ОЗУ 256×8; 45 нс; 925 мВтКМ185РУ10 2108.22-1 ОЗУ 16К×1; 50 нс; 750 мВт Серия КР185 ТТЛ ОЗУ; +5ВКР185РУ7 210А.22-3 ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВтКР185РУ7А 210А.22-3 ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт Серия КР188 КМОП статические ОЗУКР188РУ2А 238.16-1 Статическое ОЗУ 256×1; 500 нс Серия К537 КМОП статические ОЗУ; +5 ВК537РУ3А 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нсК537РУ3Б 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нсК537РУ4А 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 200 нс; 40 мкВт (в режиме хранения информации)К537РУ4Б 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации)К537РУ4В 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 500 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации)К537РУ13 427.18-2.02 Статическое ОЗУ 1К×4; 150 нс; 60 мкВт (в режиме хранения информации) Серия КМ537 КМОП статические ОЗУ; +5 ВКМ537РУ1 201.16-15 Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс Серия КР537 КМОП статические ОЗУ; +5 ВКР537РУ1 238.16-1 Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нсКР537РУ2А 2107.18-4 Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нсКР537РУ2Б 2107.18-4 Статическое ОЗУ 4К×1; 430 нсКР537РУ3А 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс; 100 мВт; 5 мкВт (в режиме хранения информации)КР537РУ3Б 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс; 100 мВт; 250 мкВт (в режиме хранения информации)КР537РУ5А 210А.22-3 Статическое ОЗУ 1К×4; 300 нсКР537РУ5Б 210А.22-3 Статическое ОЗУ 1К×4; 400 нсКР537РУ8А 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 220 нсКР537РУ8Б 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 400 нсКР537РУ10А 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 200 нсКР537РУ11А 239.24-2 Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 1,5 мВт (в режиме хранения информации)КР537РУ11Б 239.24-2 Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 2,4 мВт (в режиме хранения информации)КР537РУ13 2107.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 160 нс Серия К541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 ВК541РТ1 402.16-21 ПЗУ 256×4; 80 нс; 400 мВтК541РУ2 427.18-2.03 Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нсК541РУ2А 427.18-2.03 Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс; 525 мВт Серия КР541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 ВКР541РУ1 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 100 нс; 490 мВтКР541РУ1А 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 70 нс; 450 мВтКР541РУ2 2107.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс; 550 мВт Серия КЕ565 n-МОП-ОЗУКЕ565РУ1А 2108.22-8 Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12 ВКЕ565РУ1Б 2108.22-8 Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12 В Серия КР565 n-МОП-ОЗУКР565РУ1А 210А.22-3 Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12ВКР565РУ1Б 210А.22-3 Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12ВКР565РУ5В 2103.16-8 Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 195 мВтКР565РУ5Г 2103.16-8 Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 185 мВтКР565РУ5Е 2103.16-8 Динамическое ОЗУ около 64К×1; 250 нс; +5В; 160 мВтКР565РУ6Б 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 16К×1; 120 нс; +5В; 140 мВтКР565РУ6В 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 16К×1; 150 нс; +5В; 120 мВтКР565РУ6Г 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 16К×1; 200 нс; +5В; 115 мВтКР565РУ6Д 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 16К×1; 250 нс; +5В; 110 мВт Серия К1500 ЭСЛ с повышенным быстродействием; −4,5 ВК1500РУ073 4114.24-3 ОЗУ 64×4, 6 нс; 990 мВт Серия КМ1603КМ1603РУ1 210А.22-1 Статическое ОЗУ 256×4; 360 нс; 75 мкВт (в режиме хранения информации)
К565РУ3
К565РУ3 — электронный компонент, микросхема динамического ОЗУ с произвольным доступом, имеющая ёмкость 16 384 бит и организацию 16 384×1.
К565РУ7
Микросхема К565РУ7 представляет собой выполненное по полупроводниковой технологии на n-канальных МОП-транзисторах устройство с произвольной выборкой динамического типа ёмкостью 262 144 бит (организация 262 144×1 разряд).
Микросхемы для построения ПЗУ
ИМС Тип корпуса Примечание Серия КР556 ТТЛШ-ППЗУ; КР556РТ2 2121.28-1 Матрица ПЛМ, 16 входных переменных, 48 конъюкций, 8 выходных переменных, ТСКР556РТ4 238.16-2 ПЗУ 256×4; ОК; 70 нс; 683 мВтКР556РТ4А 238.16-2 ПЗУ 256×4; ОК; 45 нс; 683 мВтКР556РТ5 239.24-2 ПЗУ 512×8; ОК; 70 нс; 1ВтКР556РТ6 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ОК; 80 нс; 1ВтКР556РТ7 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ТС; 80 нс; 1ВтКР556РТ11 238.16-2 ПЗУ 256×4; ТС; 45 нс; 650 мВтКР556РТ16 239.24-2 ПЗУ 8Kx8; ТС; 85 нс; 950 мВтКР556РТ18 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ТС; 60 нс; 900 мВтКР556РТ20 239.24-2 ПЗУ 1Kx8; ТС; 30 нс; 960 мВт Серия КР558 ЭППЗУ; +5, −12ВКР558РР1 405.24-7 ЭППЗУ 256×8; 5мкс; 370 мВтКР558РР2А 405.24-7 ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; 490 мВтКР558РР2Б 405.24-7 ЭППЗУ 2Кx8; 700 нс; 490 мВтКР558РР4 2121.28-5 ЭППЗУ 8Кx8; 400 нс; 400 мВтКР558ХП1 239.24-2 7-разрядный десятичный счетчик, ЭППЗУ, дешифратор двоичного кодаКР558ХП2 2103.16-6 24-разрядный сдвиговый регистр, ЭППЗУ 16×24; 310 мВт Серия КР568 МОП-ПЗУ; +5, +12, −5ВКР568РЕ1 2120.24-3 ПЗУ статического типа 2Кx8; 700 нсКР568РЕ2 2121.28-5 ПЗУ 8Кx8; 250 нс; 420 мВтКР568РЕ3 2121.28-5 ПЗУ 16Кx8; 550 нс; 315 мВт Серия 573 ППЗУ К573РР2 2120.24-1.02 ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВтК573РР21 2120.24-1.02 ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВтК573РР22 2120.24-1.02 ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВтК573РФ1 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВтК573РФ2 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВтК573РФ3 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 400 нс; +5В; 200 мВтК573РФ3А 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 550 нс; +5В; 446 мВтК573РФ3Б 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 800 нс; +5В; 446 мВтК573РФ4А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВтК573РФ4Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВтК573РФ5 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; +5В; 525 мВтК573РФ6А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВтК573РФ6Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВтК573РФ7 2121.28-6 ППЗУ с УФ-стиранием 32Кx8; 300 нс; 600 мВтК573РФ11 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВтК573РФ12 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВтК573РФ13 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВтК573РФ14 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВтК573РФ21 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВтК573РФ22 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВтК573РФ23 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВтК573РФ24 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВтК573РФ31 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВтК573РФ32 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВтК573РФ33 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВтК573РФ34 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx16; 400 нс; 400 мВтК573РФ41А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВтК573РФ41Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВтК573РФ42А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВтК573РФ42Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт К573РФ43А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт К573РФ43Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт К573РФ44А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт К573РФ44Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт К573РФ61А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт К573РФ61Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт К573РФ62А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт К573РФ62Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт К573РФ63А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт К573РФ63Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт К573РФ64А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт К573РФ64Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт
См. также Советские микросхемы К565РУ1 К565РУ3 К565РУ7
Примечания
Литература
— (Проектирование РЭА на интегральных микросхемах).
Ссылки Музей электронных раритетов
Категория:История компьютерной техники Категория:Цифровые интегральные схемы Категория:Запоминающие устройства Категория:Советские микросхемы