Galijum-arsenid (-{GaAs}-) je jedinjenje elementa galijuma i arsena. On je III/V poluprovodnik i koristi se u proizvodnji uređaja kao što su integrisana kola mikrotalasne frekvencije, monolitna mikrotalasna integrisana kola, infracrvena svetlećih dioda, laserskih dioda, solarnih ćelija i optičkih prozora.
Priprema i hemija U ovom jedinjenju, galijum ima +3 oksidaciono stanje. Galijum-arsenid može se pripremiti direktnom reakcijom iz elementa, što se koristi u brojnim industrijskim procesesima: Kristalni rast koristeći peći horizontalne zone u Bridgman-Stokbargerovoj tehnici. Likvidno enkapsulirani rast se koristi za proizvodnju kristala visoke čistoće.
Alternativne metode za produkciju filmova od -{GaAs}- su: -{VPE}- reakcija gasovitog galijuma i arsen-trihlorida: -{2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2}- -{MOCVD}- reakcija trimetilgalijuma i arsina: -{Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4}- Galijum i arsenik: -{4 Ga + As4 → 4 GaAs}- ili -{2 Ga + As2 → 2 GaAs}-
Reference
Литература
Spoljašnje veze Jedno-kristalni tanki film Toksičnost arsenika
Категорија:Арсениди Категорија:Материјали светлећих диода Категорија:Једињења галијума Категорија:Неорганска једињења Категорија:Оптоелектроника Категорија:Соларне ћелије