thumb|Elektronska mikroskopija antilokacija (a, Mo zamene za S) i slobodnih mesta (b, nedostajući S atomi) u monosloju molibden disulfida. Skala trake: 1 nm.

Kristalografski defekt je prekid pravilnih obrazaca rasporeda atoma ili molekula u kristalnim čvrstim materijama. Položaji i orijentacije čestica, koje se ponavljaju na fiksnim rastojanjima određenim parametrima jedinične ćelije u kristalima, pokazuju periodičnu kristalnu strukturu, ali ona je obično nesavršena.Ehrhart, P. (1991) Properties and interactions of atomic defects in metals and alloys , volume 25 of Landolt-Börnstein, New Series III, chapter 2, p. 88, Springer, BerlinSiegel, R. W. (1982) Atomic Defects and Diffusion in Metals, in Point Defects and Defect Interactions in Metals, J.-I. Takamura (ED.), p. 783, North Holland, AmsterdamWatkins, G. D. (1997) "Native defects and their interactions with impurities in silicon", p. 139 in Defects and Diffusion in Silicon Processing, T. Diaz de la Rubia, S. Coffa, P. A. Stolk, and C. S. Rafferty (eds), vol. 469 of MRS Symposium Proceedings, Materials Research Society, Pittsburgh, Često se karakteriše nekoliko tipova defekata: tačkasti defekti, linijski defekti, planarni defekti, defekti mase. Topološka homotopija uspostavlja matematički metod karakterizacije.

Reference

Literatura

Hagen Kleinert, Gauge Fields in Condensed Matter, Vol. II, "Stresses and defects" , pp. 743–1456, World Scientific (Singapore, 1989); Paperback Hermann Schmalzried: Solid State Reactions. Verlag Chemie, Weinheim 1981, .

Категорија:Кристалографија