Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ () — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10−8 Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром () і Альфредом Чо (, ).
Метод
Основою методу є осадження випаруваної з молекулярного джерела речовини на кристалічну підкладку. Незважаючи на просту ідею, метод вимагає складних технологічних рішень, а саме: підтримання в робочій камері надвисокого вакууму (порядку 10−8 Па); високу чистоту матеріалів, що випаровуються (має складати 99,999999%).
Посилання
Див. також
Кристал Напівпровідник Підкладка Хімічне осадження з парової фази
Епітаксія Парофазна епітаксія Рідкофазна епітаксія Твердофазна епітаксія