Пре́мія Ні́ка Голоня́ка () — наукова нагорода від Оптичного товариства (OSA). Вручається за видатні досягнення в галузі оптики з використанням напівпровідникових пристроїв і матеріалів.

Названа на честь американського науковця-фізика і винахідника Ніка Голоняка, який зробив видатний внесок у галузь оптики завдяки розробці напівпровідникових світловипромінювальних діодів та напівпровідникових лазерівNick Holonyak, Jr. Award.

Премія заснована у 1997 році. Нагородження проводиться з 1998 року. Нагородою відзначені два лауреати Нобелівської премії.

Лауреати Рік Лауреат Обґрунтування нагороди 1998 За його новаторський внесок і лідерство в дослідженнях та розробці світлодіодних (LED) матеріалів і пристроїв видимої довжини хвилі, включно з першим жовтим світлодіодом і високояскравими червоно-помаранчево-жовтими світлодіодами InAlGaP, котрі за продуктивністю перевершують лампи розжарювання 1999 Денніс Деппе () За розробку лазера поверхневого випромінювання з вертикальним оксидо-обмеженим резонатором 2000 Жорес Іванович Алфьоров За оригінальні дослідження гетероструктурних інжекційних лазерів і безперервних напівпровідникових лазерів кімнатної температури 2001 Накамура Сюдзі За оригінальну демонстрацію та комерціалізацію напівпровідникових лазерів і світлодіодів на основі GaN 2002 Паллаб Бхаттачарія () За фундаментальний внесок у розробку та розуміння квантово-точкових лазерів та інших фотонних пристроїв з квантовим обмеженням 2003 Джо Сарлз Кемпбелл () За внесок у розробку високошвидкісних лавинних фотодіодів з низьким рівнем шуму 2004 Петро Георгійович Єлісєєв За оригінальний і новаторський внесок у фізику та технологію напівпровідникових лазерів, починаючи з гомопереходів, закінчуючи гетероструктурами InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb і включно з квантово-точковими структурами з ультранизьким порогом 2005 Пол Деніел Дапкус () За основоположний внесок у розробку металоорганічного хімічного осадження з парової фази та його застосування в лазерних пристроях з квантовою ямою 2006 За внесок у розробку напівпровідникових лазерів із квантовими ямами та напруженими шарами завдяки інноваційним методам епітаксійного зростання та новим конструкціям пристроїв 2007 За внесок в розвиток керування діодними лазерами: масиви поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором, блокування інжекції та повільне світло 2008 Kam Yin Lau За основоположний внесок у високошвидкісну пряму модуляцію напівпровідникових лазерів завдяки покращенню диференціального оптичного підсилення 2009 Джон Боверс ()John E Bowers // Optica Для фундаментальні і технологічні досягнення в активних гібридних кремнієвих фотонних пристроях, включаючи лазери, модулятори, підсилювачі та кремнієві активні фотонні інтегральні схеми 2010 Дан Ботез () За фундаментальний внесок у створення потужних напівпровідникових лазерів, включаючи активні фотонно-кристалічні структури для створення високої когерентної потужності; однопелюсткові лазери з розподіленим зворотним зв'язком; та потужні високоефективні джерела на основі безалюмінієвої технології 2011 За основоположний внесок у лазери на квантових точках і нанофотонні пристрої 2012 Кент Чокетт () За внесок у розробку поверхнево-випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором 2013 Алессандро Тредікуччі () За демонстрацію терагерцового квантово-каскадного пристрою, першого компактного інжекційного лазера в далекому інфрачервоному діапазоні 2014 За відкриття ефективних тонкоплівкових органічних світловипромінюючих діодів (OLED), що призвело до створення нових дисплеїв і освітлювальних приладів 2015 Цін Ху () За його піонерський внесок у високоефективні ТГц квантово-каскадні лазери та їх застосування у візуалізації та зондуванні 2016 За новаторські та постійні внески в оптоелектронні пристрої з квантовими ямами, квантовими точками та нанодротами та їх інтеграцію 2017 Ларрі Колдрен () За великий внесок у фотонні інтегральні схеми 2018 За фундаментальні відкриття щодо росту та фізики напівпровідникових наноструктур, які ведуть до нових нанофотонних пристроїв для інформатики та комунікацій 2019 Фуміо Кояма () За фундаментальний внесок у фотоніку та інтеграцію VCSEL (Vertical-cavity surface-emitting lasers — поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором) 2020 За значний внесок у гетероепітаксію складних напівпровідників на кремнії для майбутніх інтегрованих лазерів і розвиток галузі світлодіодних мікродисплеїв 2021 За широкий внесок у розробку та застосування III—V напівпровідникових пристроїв, особливо включаючи мікросвітлодіоди на нітриді галію та напівпровідникові лазери з оптичним накачуванням 2022 Маршалл Натан () За новаторську роботу у створенні діодних лазерів на основі GaAs та винахідницький внесок у складні напівпровідники та лазерну фізику 2023 Єшаяху Файнман () За новаторський внесок у нанорозмірну науку та техніку надмалих, субмікрометрових напівпровідникових випромінювачів світла та нанолазерів для систем обробки інформації 2024 За новаторський внесок у створення нітридних напівпровідникових матеріалів і оптичних пристроїв, які допомогли створити основу для синіх і ультрафіолетових світлодіодів 2025 Зетянь Мі () За видатний внесок у розробку широкозонних наноструктур для випромінювання світла та генерування енергії

Примітки

Посилання Сайт премії