Са Чжітан (, , листопад 1932, Пекіні, Китай). Сьогодні почесний член відділення електричної та комп'ютерної інженерії Університету Флориди.
Знайшов популярність в фізиці та техніці відомою моделлю Са при розгляді стандартних МДН-транзисторів, опублікованою в 1964 році.C.T.Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007. Суть моделі Са полягає у спрощенні розгляду режиму сильної інверсії на поверхні напівпровідника, що виникає внаслідок ефекту поля і дозволяє отримати аналітичний розв'язок для вольт-амперних характеристик (ВАХ) МДН-транзисторів. В свою чергу це дозволило осмислено використовувати МДН-транзистори в техніці, бурхливий розвиток якої в 70-ті роки привів до розробки НВІС (надвеликих інтегральних схем), що широко використовуються навіть сьогодні при виробництві мікропроцесорів.
Нагороди
2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award 2000 — Вибраний в Китайську Академію Наук 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science 1995 — IEEE Life Fellow 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois 1989 — IEEE Jack Morton Award 1986 — Вибраний в Американську національну Академію Інженерів 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven 1971 — Член Американського Фізичного Товариства 1969 — Член Американського Інституту з Електрики та Електронної Інженерії (IEEE) 1000 World's Most Cited Scientists, 1865—1978, Інститут наукової інформації
Література
Виноски
Патенти 3,204,160 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, August 1965 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966 3,243,669 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, March 1969 Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel 4,343,962 — Oxide Charge Induced High Low Junction Emitter Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982